MIT与TI团队开发新型RFID芯片 有效防黑!

2016-02-15 10:06 出处:其他 作者:佚名 责任编辑:sunziyi

  【PConline 资讯】众所周知,RFID芯片被广泛的应用于近场识别场景中,能通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据。现在,一支由麻省理工(MIT)于德州仪器(TI)共同组成的研究团队,打造出了一款更为安全的新型RFID芯片。

  该团队声称,此款新型芯片采取了特殊的防范措施以抵御“旁路”(side-channel)与“电压毛刺”(power glitch)两类攻击,这也是当下困扰RFID芯片(部署了PIN码的信用卡)的头号问题。

  “旁路”出现在攻击者可以在附近看到、记录和分析数据的情况下(源自芯片执行的加密操作)。黑客可以观察任务过程中的电力消耗波动、收集巨量的信息、以及后续提取密钥。对此,研究团队称新型的RFID芯片会基于随机数生成器而定期改变密钥(银行服务器上也会运行),为每笔卡片交易生成唯一的密钥,从而抵御旁路攻击。

  尽管如此,在“电压毛刺”的辅助下,RFID芯片仍有可能被攻破,这种类型的攻击,需要人为在芯片生成新密钥前截断电力供应。当恢复供电之后,芯片会忘记生成新的密钥,而继续用旧的。重复操作,黑客可以强制芯片工作于同一密钥下,直至他们积累到可用于旁路攻击的足够信息。庆幸的是,研发团队通过添加3.3V电容的方式解决了此问题。

  介于电容能够存储额外的电量,因此当突然断电后芯片仍可持续完成许多操作,并将数据发送到571个不同的1.5V存储位(storage cells)上;恢复供电后,它会首先给3.3V的电容充电,然后检索此前发到1.5V存储位上的数据,继续此前被人为打断的工作。

  研究团队表示,新型RFID芯片在测试阶段表现已达预期。目前仍处于原型阶段,尚不能实现量产。但在今年的旧金山国际固态电路会议(ISSCC)上,他们展示了这一成果。  

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